内存市场正经历显著的价格攀升。美国投资银行Jefferies预测，2026年第三季度，内存价格将环比增长40%至50%，并在第四季度继续上涨30%至40%。到2027年，全年同比涨幅预计达到40%至45%，且此增长趋势至少会持续到2028年才会逐渐放缓。
供应方面，全球三大DRAM制造商——三星、SK海力士和美光——的现有产能已显紧张，并且当前总产能的一半已通过“长期协议”锁定。
与此同时，扩产计划也在同步进行。美光已在美国等地投入超过1500亿美元用于新建产能。三星电子与SK集团近期联合公布了一项为期十年的半导体及人工智能基础设施投资计划，总额达200万亿韩元，约合1.3万亿美元。三家存储巨头合计的投资规模预计将超过1.5万亿美元。
值得注意的是，这三家公司占据了超过90%的市场份额，这也引发了反垄断方面的关注。美国律所Hagens Berman指控它们合谋操纵价格，人为制造供应短缺。
01 存储制造商加大投入
据当地媒体报道，三星和SK集团的人工智能基础设施项目投资涵盖半导体、显示器、电池和数据中心等多个领域，其中半导体是重点。
三星计划在韩国西南部的光州和全罗南道建造4至5座晶圆厂，投资约30万亿韩元。在龙仁半导体集群，计划增建6座晶圆厂，投资360万亿韩元，原定2048年完工，现已提前至2034至2035年。在忠清南道天安和温阳，将投入超过56万亿韩元建设先进封装基地，定位为封装研发与生产中心。
在半导体之外，AI数据中心投资将超过350万亿韩元，主要选址在忠清南道牙山。
SK海力士计划在光州建设四至五座晶圆厂，并在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂，相关投资约60万亿韩元。
此前，SK海力士已启动部分扩产项目，但该公司未明确这些项目是否包含在本次公布的新投资计划内。例如，SK集团会长崔泰源在6月11日表示，位于清州的M15X晶圆厂预计2026年下半年开始运营，初期月产能为4万片，2027年增至约8万片。
此外，龙仁半导体集群的推进也在加速，一期项目预计2027年初完工，包含6个洁净室，每个洁净室将逐步增加月产能6万片。仅第一工厂就计划在2030年上半年之前增加36万片的月产能。
美光的扩产计划在全球市场同步推进，美国本土是其核心。在第三财季业绩电话会议上，首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）提供的资本支出指引显示，第四财季约为100亿美元，2026财年全年为270亿美元。他预计2027财季的资本支出将高于2026财年第四财季水平，其中超过一半的同比增长将来自建设资本支出。
目前，美光正投资500亿美元在美国爱达荷州博伊西总部园区新建两座晶圆厂ID1和ID2，这是美国历史上最大的洁净室之一。ID1预计于2027年中旬产出首批DRAM晶圆，包括HBM所需的基础芯片。ID2预计在2028年底前投产。
在纽约州锡拉丘兹，投资1000亿美元的晶圆厂集群项目已于2026年1月动工，是纽约州历史上最大的单笔私人投资。弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂已开始生产1-alpha DDR4技术，以满足汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。
在亚洲，日本广岛新建的DRAM晶圆厂投资96亿美元，并已引入EUV设备。在中国台湾收购的现有晶圆厂预计2027年中旬实现批量产品出货，较预期提前约一个季度。附近同等规模的第二座洁净室已在建设中，将支持EUV设备。新加坡将成为美光的先进封装卓越中心，重点扩展HBM封装产能，预计2027年上半年开始贡献收入。当地新建的NAND晶圆厂十年投资约240亿美元。
梅赫罗特拉特别提到，美光近期与ASML签署了一项多年期EUV供应协议，为下一代1-delta节点及更先进工艺做准备。
三家公司的投资策略有一个共同点：都在扩产，但采取了拉长投资周期、分摊负担的方式，并未押注短期爆发。
桑杰在美光第三财季电话会议上解释，整个行业都在努力增加供应，但扩产速度受到多种因素限制，包括晶圆厂建设周期长、设备交付延迟、熟练工人短缺以及能源和水电基础设施不足。他将这些因素统称为“结构性约束”，并认为在这种约束下，未来两到三年供应紧张的局面很可能难以缓解。
02 HBM成为战略焦点
与传统DRAM相比，HBM（高带宽存储器）对下游厂商构成了更大的挑战。
HBM的堆叠式高带宽内存需求逻辑与以往任何内存产品都不同。6月份，黄仁勋在首尔与SK集团会长崔泰源会面时表示，SK海力士到2030年将存储晶圆产能翻倍的计划仍显不足。“我们已经从SK海力士采购，每年采购额达数十亿美元，且该数字还将大幅增长。”
分析师fin在其《AI半导体终局推演》中测算，每张GPU的HBM容量需求每年增长约40%，而供应端产能增幅仅为14%，DRAM单元密度增速仅为9%。这导致需求与供给的差距不断扩大。这意味着，DRAM的供给增速仅为24%，增速差值达到16%。
更关键的是，传统DRAM是标准化产品，在周期下行时需求暴跌，价格也随之暴跌，导致行业巨亏。HBM则规避了这一风险。fin认为，虽然HBM的上层堆叠仍是DRAM，但Base die（基底裸片）具有定制化特性，客户需要与存储原厂签订长期合同锁定产能。同时，AI需求的可预测性更强，即使价格下跌，也会刺激客户增加配置量，形成支撑。此外，由于技术更新换代快，旧产品贬值迅速，存储原厂倾向于争夺fabless客户下一代技术的认证资格，而非在存量市场进行价格战。
fin的分析表明，HBM已从过去的“一年盈利、三年亏损”的传统周期性产品，转变为“上行期盈利丰厚、下行期亏损有限”的成长性产品。他认为，只要Transformer架构中的注意力机制不被颠覆，HBM的需求将持续呈指数级增长。
03 韩国产能争夺战
6月份，黄仁勋在韩国与SK集团会长崔泰源、SK海力士CEO郭鲁正等举行了“晚餐会”。会后，黄仁勋向媒体确认，英伟达新推出的Vera CPU将采用SK海力士的DRAM，双方正在为今年下半年和明年进行“超大规模的合作”做准备。
同一天，英伟达与SK海力士宣布了一项多年的技术合作协议，涉及AI超级计算机、机器人、数字孪生和半导体制造等领域。
黄仁勋并非唯一关注韩国内存产能的科技巨头。今年3月，AMD的CEO苏姿丰在其2014年上任以来的首次韩国之行中，将首站选在了三星电子位于京畿道平泽的园区。双方签署的谅解备忘录涵盖多个层面：三星将为AMD下一代AI加速器MI455X供应HBM4内存，并为代号“Venice”的第六代EPYC处理器开发定制化的DRAM解决方案。
科技巨头纷纷前往韩国，其本质在于内存正从一种可按需采购的通用部件，转变为需要CEO亲自出面争取才能获得的战略资源。
04 美光态度强硬，苹果受影响
在此轮涨价潮中，美光的立场比三星和SK海力士更为坚定。在发布创纪录的第三财季业绩后，美光首席商务官苏米特·萨达纳在接受《华尔街日报》采访时，罕见地回顾了过去的经历。
他透露，在上一个行业低迷期，美光因部分客户“在定价上非常激进”，“以最低价采购”，导致供应商毛利率降至负数，从而无法进行投资扩产。他表示，美光当时已告知相关客户，“这种做法没有建设性”。由于极差的定价和利润率，2023年许多行业投资被迫暂停。
尽管没有点名，但美光“抱怨”的客户普遍被认为是苹果公司。苹果长期以来以与供应商强硬议价著称，通过长期采购合同锁定低价，最大程度地压低自身成本，同时推高终端产品价格。
然而，这种强硬的供应链策略，间接加剧的存储短缺，也开始反噬苹果自身。苹果CEO蒂姆·库克近期承认，此次内存短缺是“百年一遇的洪水”，价格上涨“不可避免”。此后不久，苹果对其MacBook、iPad、Apple TV和Vision Pro等产品线进行了全面提价。当日，苹果市值蒸发了2650亿美元。
据《金融时报》报道，苹果正悄悄游说华盛顿，寻求获得许可，以便向中国存储芯片制造商长鑫采购内存。苹果认为，长鑫尚未深度卷入AI用HBM的供应竞争，理论上可以提供更具成本效益的内存。
市场研究机构Gartner分析师兰吉特·阿特瓦尔（Ranjit Atwal）评价道：“即便是苹果，也无法幸免。尽管他们拥有所有的专业知识和长期规划，但这已经超出了他们能够限制影响的范围。”
目前普遍预测，最快到2028年之后，存储短缺问题将得到缓解。然而，一旦权力结构发生转变，将很难恢复到原状。在内存市场，买方可能无法再获得过去那种“予取予求”的议价能力——内存的“大宗商品时代”正在落幕，而终端厂商尚未完全适应这一趋势。
特约编译金鹿对本文亦有贡献
